

IRFU3710Z詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 33A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2930pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
IRFU3710Z-701P詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 33A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2930pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
IRFU3710ZPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 33A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2930pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X10MM
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
- 撥動開關 CW Industries 徑向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 86A I-PAK
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 820NH 20% 1812
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
- 撥動開關 CW Industries 徑向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 100UH 5% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH