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IRFZ24詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRFZ24L詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262-3
- 包裝：管件
IRFZ24N,127詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRFZ24NL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRFZ24NLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRFZ24NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V
- 功率_最大：45W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TXRX ESD 3.3V RS485/422 8-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
- 光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 SENSOR OPTO REFL 4M PREWIRED MOD
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET FOR E3C-1 SENSING HEAD
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） TXRX ESD 3.3V RS-485/422 8-MSOP
- 光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，連接器 SENSOR OPTO REFL 4M CONN MOD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET FOR E3C-1 SENSING HEAD
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） TXRX ESD 3.3V RS-485/422 8-MSOP
0755-83202411 
0755-23919407 
