

IRFZ44ES詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:48A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 29A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1360pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRFZ44ESPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:48A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 29A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1360pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRFZ44ESTRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:48A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 29A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1360pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFZ44ESTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:48A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 29A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1360pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRFZ44ESTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:48A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 29A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1360pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFZ44ESTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:48A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:23 毫歐 @ 29A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1360pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 16CIRC 10MM
- 配件 Electroswitch 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) DIAL PLATE 1-23 DIGIT 1.87"DIA
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 6CIRC 9.50MM
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
- AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 24POS 5.08MM
- 通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES CERAMIC COMP 1.2K OHM 1W
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 20CIRC 10MM
- 其它 General Cable/Carol Brand 12 AWG SOLID BC SGPVC
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 9.50MM
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 24POS 5MM
- AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES CERAMIC COMP 150 OHM 1W
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 3CIRC 10MM
- 其它 General Cable/Carol Brand 12 AWG SOLID BC SGPVC