IRFZ44N,127詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
- 系列：TrenchMOS™
- 制造商：NXP Semiconductors
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRFZ44NL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRFZ44NLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRFZ44NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V
- 功率_最大：94W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRFZ44NS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFZ44NSPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1470pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 820PF 630V 5% RADIAL
- 評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Intersil * EVAL BAORD FOR ISL8200
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB - HMM15H/AE15G/X
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040B/H2730TR 2"
- PMIC - LED 驅(qū)動器 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LED DRVR STEP DOWN 8SOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 7.2PF 25V NP0 0201
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 15UF 6.3V 20% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 22UF 6.3V 20% RADIAL
- D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB - HMM25H/AE25G/X
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040S/H2730TR 2"
- PMIC - LED 驅(qū)動器 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LED DRVR STEP DOWN 8SOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 7.3PF 25V NP0 0201
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 47UF 6.3V 20% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
0755-83202411 
0755-83222787 
