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IRFZ46NL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：53A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 28A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRFZ46NLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：53A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 28A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRFZ46NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：53A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 28A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V
- 功率_最大：107W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRFZ46NS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：53A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 28A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFZ46NSTRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：53A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 28A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFZ46NSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：53A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫歐 @ 28A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1696pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
- 嵌入式 - 微處理器 Intersil 68-LCC（J 形引線） IC CPU 16BIT 5V 20MHZ 68-PLCC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TXRX ESD RS-485/422 LP 8-SOIC
- D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HFM25H/AE25M/HFM25H
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2064V/H2728TR 3"
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.047UF 100V 10% RADIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 8.3PF 25V NP0 0201
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.47UF 100V 10% RADIAL
- 接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） Intersil 28-LCC（J 形引線） IC CTRLR CMOS SERIAL 28-PLCC
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2065W/H2728TR 3"
- D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HFM25H/AE25M/HFM25H
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.015UF 250V 10% RADIAL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 8.5PF 25V NP0 0201
- 時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器 Intersil 28-LCC（J 形引線） IC OSC PROG TIMER 8MHZ 28PLCC
- 陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 0.047UF 250V 10% RADIAL
755-83252273 
