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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRFZ48 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFZ48L詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:50A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 43A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
功率_最大:3.7W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262-3
包裝:管件

IRFZ48NL詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:64A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 32A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1970pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
包裝:管件

IRFZ48NLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:64A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 32A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1970pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
包裝:管件

IRFZ48NPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:64A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 32A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1970pF @ 25V
功率_最大:130W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRFZ48NS詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:64A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 32A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1970pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRFZ48NSPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:64A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 32A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:81nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1970pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:管件

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