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IRFZ48N 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRFZ48NL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262

包裝：管件

IRFZ48NLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262

包裝：管件

IRFZ48NPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 64A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V

功率_最大：130W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFZ48NS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFZ48NSPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFZ48NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• IR11452STRPBF

  其它    International Rectifier        IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC

• H-494-3

  刻度盤(pán)    Bourns Inc.    9-DIP 模塊，1/2 磚    COUNTING DIAL W/BRAKE BLACK

• GJM0335C1E5R7WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201

• IRFZ46ZL

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 55V 51A TO-262

• ISC1812ET220K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 22UH 10% 1812

• IRFZ48NL

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

• IR1155STRPBF

  PMIC - PFC（功率因數(shù)修正）    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC

• H4BBG-10102-B8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 2"

• FDS6982AS

  FET - 陣列    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8

• GJM0335C1E5R7WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201

• IRFZ48S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

• H4BBG-10102-G1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 2"

• IR1167ASTRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān)    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC

• ISC1812ETR27K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 270NH 10% 1812

• FDS6982AS

  FET - 陣列    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8