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IRFZ48NSTR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRFZ48NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFZ48NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFZ48NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRFZ48NSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFZ48NSTRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

HFBR-RWS002
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF PLASTIC SIMPLEX SMA
IRLR8113TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
FQA7N60
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P
IRFZ48NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
CY7C2268XV18-633BZXC
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM DDRII 36MBIT 165FBGA
FWX-2500AH
保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 盒，非標(biāo)準(zhǔn) FUSE 2500A 250V
JS0404FP4-R
DIP NKK Switches SW SPST 0.025A 24VDC GULL WING
HFBR-RWS002
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF PLASTIC SIMPLEX SMA
IRLR8113TRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
FWX-350A
保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 圓柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 350A 250V BOLT-ON
JS102000SAQN
Slide Switches C&K Components SWITCH SLIDE SPDT 5VDC 1MA SMT
CY7C2563KV18-400BZXI
存儲(chǔ)器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 400MHZ 165-FPBGA
HFBR-RWS002Z
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF PLASTIC SIMPLEX SMA
IRLR8259PBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
IRFZ48PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB