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IRL1004詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL1004L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL1004LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL1004PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL1004S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL1004SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：130A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

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陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1500PF 200V X7R RADIAL
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薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.033UF 1.6KVDC RADIAL
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 10000PF 50V Y5V RADIAL
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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS R/A .100 SLD

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