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IRL1104詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3445pF @ 25V; 功率_最大：167W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL1104L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 104A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3445pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL1104LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 104A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3445pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL1104PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3445pF @ 25V; 功率_最大：167W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL1104S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3445pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL1104SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 62A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3445pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

GRM1885C2A6R1DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 6.1PF 100V NP0 0603
IRL1004L
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
CY7C1021CV33-8VXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 8NS 44SOJ
CY3205-S4
配件 Cypress Semiconductor Corp PSOC PROGRAM BOARD MCU 48-SSOP
IXBOD1-18RD
TVS - 其它復(fù)合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 0.2A 1800V
ISL84522IV
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
GRM1886R1H4R0CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 4PF 50V R2H 0603
IXSH30N60AU1
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 50A 600V TO-247
CY7C1021D-10VXI
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ
IXBOD1-22R
TVS - 其它復(fù)合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2200V
ISL84523IBZ
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
GRM1886R1H4R7CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 4.7PF 50V R2H 0603
CY3205-S5
過時/停產(chǎn)零件編號 Cypress Semiconductor Corp PSOC PROGRAM BOARD MCU 44-TQFP
CY7C1021D-10VXIT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 44-BSOJ IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ
IXSH30N60U1
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 50A 600V TO-247