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IRL2203N詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V
- 功率_最大：180W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL2203NL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRL2203NLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRL2203NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V
- 功率_最大：180W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL2203NS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL2203NSPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
- 電池組 Panasonic - BSG BATTERY PACK NIMH 10.8V 6500 MAH
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP
- SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR CC 2SCR 1200V 90A ADD-A-PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8-DIP 模塊，1/8 磚 ADJUSTABLE APERTURE
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 60SEC 28-TSOP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Fairchild Optoelectronics Group 8-DIP（0.300"，7.62mm） OPTOCOUPLER AC/DC-LOGIC 8-DIP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH QUAD SPDT 20QFN
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 60-SEC 28-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8-DIP 模塊，1/8 磚 ADJUSTABLE APERTURE
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP（0.300"，7.62mm） OPTOCOUPLER AC/DC LOGIC 8-DIP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 電池，充電式（蓄電池） Panasonic - BSG BATTERY NIMH 1.2V 650MAH W/TAB
0755-82561519 
0755-83226745 
