

IRL2505L詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:104A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 54A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRL2505PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:104A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 54A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:200W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRL2505S詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:104A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 54A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRL2505SPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:104A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 54A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRL2505STRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:104A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 54A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRL2505STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:104A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:8 毫歐 @ 54A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:130nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5000pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬)裸露焊盤 IC VOLT REG DUAL LNB 28-EPSOIC
- 晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 16.384 MHZ 18PF SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- 邏輯 - 柵極和逆變器 STMicroelectronics 16-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC BUFF/CNVRTR HEX INVER 16SOICN
- IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 1000V SCSOA TO-247
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div HOST LINK MODULE CV 2 PORTS
- 配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
- IGBT - 單路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 600V SCSOA TO-264
- 晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
- 邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能,可配置 STMicroelectronics 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC GATE NAND/AND 8INPUT 14-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div POWER SUPPLY 24 VDC INPUT
- IGBT - 單路 IXYS TO-264-3,TO-264AA IGBT 75A 600V TO-264
- 配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
- 晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN