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IRL3502詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 64A，7V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3502L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 64A，7V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRL3502PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 64A，7V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3502S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 64A，7V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3502SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 64A，7V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3502STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：110A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 64A，7V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

CY3207-PVI
過時/停產(chǎn)零件編號 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR20,28,48SSOP
IXDD509D1T/R
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) IXYS 6-VFDFN IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
GRM1886P1H150JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 15PF 50V 5% P2H 0603
IRL3402S
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
IXTA160N10T
FET - 單 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 160A TO-263
CY7C1069AV33-10ZXIT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP
GRM1886R1HR60CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.6PF 50V R2H 0603
ISL84782IRZ-T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盤 IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16TQFN
IXDD604SIATR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) IXYS Integrated Circuits Division 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
CY7C1069AV33-12ZXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP
IXTA180N085T
FET - 單 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 85V 180A TO-263
GRM1886P1H151JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 150PF 50V 5% P2H 0603
GRM1886R1HR70CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.7PF 50V R2H 0603
ISL8483IB
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TRANSCEIVER RS-485/422 5V 8-SOIC
CY3207-SI
配件 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC