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IRL530NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL530NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL530NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL530NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL530NSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL530NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

E3ZM-LS67H
光學(xué) - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，連接器 SENSOR PHOTOELECTRIC 150MM M8
IRF1010NSPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
HM-127127-10-8A
標(biāo)簽，標(biāo)記 TE Connectivity 徑向 LABEL ID PRODUCT
IRL530A
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
E39-L39
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET E3J TYPE
IRFU4105ZTR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
ISL3159EFBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LINEAR
IRFP048RPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
IRF1010NSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
HM13089LF
其它 FCI HM13089LF METRAL COUPLER
E39-L39
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET E3J TYPE
IRFP064
FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
ISL3159EFRZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC LINEAR
IRFU4510PBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N CH 100V 56A IPAK
E3ZM-T61 5M
光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 THRU-BEAM 15M NPN CABLE 5M