IRL620 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRL620詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRL620PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRL620S詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL620SPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL620STRL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRL620STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• JG-72967

  配件    Honeywell Sensing and Control    模塊    TOGGLE SW HDW

• KIT 60109

  配件    Digital View Inc        KIT OSD BRD W/CBL ACG/AVP/SVP/SV

• IRL620SPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

• KJB0T13W35SN

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 22POS WALL MNT W/SCKT

• IMP1-3Q0-3W0-00-A

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• KMQ250VS561M25X35T2

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 560UF 250V 20% SNAP

• KPT06E16-99PDN

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 23POS W/PIN CABLE

• KPT00E24-61S

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 61POS WALL W/SKT

• JG-72967

  配件    Honeywell Sensing and Control    模塊    TOGGLE SW HDW

• KMQ350VS181M22X30T2

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 180UF 350V 20% SNAP

• KJB0T15F35PNL

  圓形 - 外殼    ITT Cannon        CONN HSG WALL MNT RCPT 37POS

• IMP1-3Q-2Q-2U-30-A

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• KPT00E8-2PW

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 2POS WALL MNT PIN

• KPT06E16-99SZDZ

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 23POS W/SKT CABLE

• JG-72967

  配件    Honeywell Sensing and Control    模塊    TOGGLE SW HDW