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IRLL3303詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRLL3303PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRLL3303TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLL3303TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRLL3303TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

IRLL3303TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLL2705TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
FZ4-H655
配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG STD. BOX 2-CAM.PNP
D38999/20FE6SC
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT
HDO4K-SENTBUS D
配件 Teledyne LeCroy SENT BUS DECODE OPTION
K182K15X7RK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1800PF 200V X7R RADIAL
HM1L42ZDP421H6PLF
背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA PF 4X12
GRM2195C1H562JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 5600PF 50V 5% NP0 0805
FXO-LC720-148.3516
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 148.3516 MHZ 2.5V LVDS SMD
D38999/20FE6SC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 6POS SKT
HM1L42ZDP444H6P
背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA PF 4X12
HDO4K-SENTBUS D
配件 Teledyne LeCroy SENT BUS DECODE OPTION
K182K15X7RK5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1800PF 200V X7R RADIAL
GRM2195C1H622JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 6200PF 50V 5% NP0 0805
FXO-LC720-62.5
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 62.5 MHZ 2.5V LVDS SMD
FZ4-H700
配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG HISPD HMI 2-CAM.NPN