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IRLML2502GTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML2502GTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

IRLML2502GTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

IRLML2502TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

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PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM BUCK 2PHASE 32-QFN
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光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 RECEIVER ONLY FOR E3L-2RC4
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