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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRLML2502TR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRLML2502TR詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:剪切帶 (CT)

IRLML2502TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:Digi-Reel®

IRLML2502TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:帶卷 (TR)

IRLML2502TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:4.2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:剪切帶 (CT)

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