IRLML6302GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V
- 功率_最大：540mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLML6302GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V
- 功率_最大：540mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23
- 包裝：Digi-Reel®
IRLML6302GTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V
- 功率_最大：540mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRLML6302TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.45V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V
- 功率_最大：540mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRLML6302TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.45V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V
- 功率_最大：540mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRLML6302TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.45V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V
- 功率_最大：540mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23
- 包裝：Digi-Reel®
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165TFBGA
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 2M
- FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
- AC DC 桌面、壁式變壓器 Iccnexergy 5AG，10mm x 38.1mm PWR SUPP DESKTOP 24V 18W
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 74.25 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 7.1PF 50V T2H 0402
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 77.76 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165TFBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 7.2PF 50V T2H 0402
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
- AC DC 桌面、壁式變壓器 Iccnexergy 5AG，10mm x 38.1mm PWR SUP DESKTOP 9V 30W
0755-82575207 
