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IRLR014詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRLR014NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRLR014NTR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR014NTRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR014NTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR014NTRR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V
- 功率_最大：28W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 電池組 Panasonic - BSG 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） BATTERY PACK 3.6V 2300 MAH NICAD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
- FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 20SEC 16-SOIC
- 陣列，信號變壓器 Pulse Electronics Corporation 模塊 INDUCT PWR TOROID 108.0UH SMD
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TXRX RS-485/422 5V LP 14-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET BRIDGE AC FOR P2RF
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92
- 旋轉 - 線性 TT Electronics/BI POT ROTARY 50K OHM 24MM SLDR LUG
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 20SEC 16-SOIC
- 共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 水平式，4 PC 板 CHOKE COM MODE 1.32MH 3.30A SMD
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH QUAD SPDT 16QFN
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS NPN DARL SS 60V TO92
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET MOUNTING PLATE FOR P2RF
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標片 SIDAC SYM 3CHP 200V 50A TO220
755-83241160（ 
