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IRLR2905CPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 36A DPAK; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR2905PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR2905TRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR2905TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR2905TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLR2905TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

HMC49DRYN-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS DIP .100 SLD
IRLR2905TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
HM1W51DPR000H6PLF
背板 - 專用 FCI METRAL HDR STR PF 5X6
ISL3280EIHZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil * IC TXRX
IRG4RC10UD
IGBT - 單路 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT W/DIODE 600V 8.5A D-PAK
E39-L97
配件 Omron Electronics Inc-IA Div PROTECT COVER BRAKT E3S-A/B HORZ
ISL9012IRFJZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.5V/2.8V 10-DFN
E4C-N9
配件 Electroswitch WAFER SW 3P-5POS NON-SHORT
HMC49DRYS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS DIP .100 SLD
IRG4RC10UDTRRP
IGBT - 單路 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT UFAST 600V 8.5A COPACK DPAK
ISL3280EIHZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil * IC TXRX
E39-L98
配件 Omron Electronics Inc-IA Div PROTECT COVER BRAKT E3S-A/B VERT
ISL9012IRJMZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.8V/3V 10-DFN
E4C-UDA11AN
放大器 Omron Electronics Inc-IA Div AMPLIFIER, NPN, ANALOG OUT
HMC49DTEN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET

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