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IRLR3714TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3714TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3714TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRLR3714TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3714TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLR3714TRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

HMC50DRYH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS DIP .100 SLD
HM28-25028LF
共模扼流圈 TT Electronics/BI 垂直式，4 PC 引腳 CHOKE COM MODE EMI 36MH .9A T/H
IRLR3714TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
ISL9014AIRLLZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.9V .3A 10-DFN
E39-R1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR FOR EE-SPZ SERIES
IRG7R313UTRPBF
其它 International Rectifier IGBT 330V 40A 78W DPAK
ISL3294EFHZ-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil SOT-23-6 IC TX ESD RS485/422 LP SOT23-6
E4MSCBAU
連接器，互連器件 Switchcraft Inc. 1206（3216 公制） CONN RCPT 4POS MALE SLD CUP GOLD
HMC516LC5
RF 放大器 Hittite Microwave Corporation 32-TFQFN 裸露焊盤 IC AMP LNA 9-18GHZ 5X5QFN
E39-R1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR FOR EE-SPZ SERIES
ISL3295EIHZ-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil SOT-23-6 IC TX ESD RS485/422 LP SOT23-6
IRG7S313UPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT N-CH 330V 40A D2PAK
ISL9014AIRMMZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3V .3A 10-DFN
E4PA-P01
超聲波接收器/發(fā)射器 Omron Electronics Inc-IA Div 1206（3216 公制） ULTRASONIC SWITCH
HMC547LP3E
RF 開關(guān) Hittite Microwave Corporation 16-VFQFN 裸露焊盤 IC MMIC SWITCH SPDT 16QFN