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IRLR7807ZCPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRLR7807ZCTRRP詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR7807ZPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRLR7807ZTR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR7807ZTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR7807ZTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：43A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP GP RRIO 400KHZ DL 8MSOP
- Hard Metric，背板，支架和面板 - 配件 FCI 垂直式，4 PC 引腳 MPAC DISCR KEY(RECEPT)
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLCTOR 7MMX7MM FOR E3C-L
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V/2.5V .3A 10-DFN
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盤 IC TXRX 3.3V RS232/485 40-QFN
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT UFAST 600V 7.8A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS .100 EXTEND
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP RRIO MICROPWR 8-SOIC
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V/2.8V .3A 10-DFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR GLASS HIGH TEMP
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC TXRX RS485/422 2PRT 28-SSOP
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT UFAST 600V 7.8A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP RRIO 400KHZ DL 8SOIC
0755-82561519 
