IRLR8503詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V
- 功率_最大：62W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRLR8503PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V
- 功率_最大：62W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRLR8503TR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V
- 功率_最大：62W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR8503TRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V
- 功率_最大：62W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR8503TRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V
- 功率_最大：62W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR8503TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：44A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1650pF @ 25V
- 功率_最大：62W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT 2CH 10K 14TSSOP
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS N-CH DUAL 30V 3.5V 8SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS DIP .100 SLD
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 徑向，管狀 RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 120V
- 配件 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CODEWHEEL 28MM 2CH 1000CPR 1/4"
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
- PMIC - 熱交換 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT QUAD 100K 20QFN
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
- 配件 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CODEWHEEL 28MM 2CH 1024CPR 5MM
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 徑向，管狀 RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 24V
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16SOIC
- PMIC - 熱交換 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN
- 數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT 256POS 100K 20QFN
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
0755-88917652 
0755-83226745 
