

IRLZ14S詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRLZ14SPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRLZ14STRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRLZ14STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRLZ14STRR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRLZ14STRRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:400pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 電容器 Nichicon 徑向,Can - 螺絲端子 CAP ALUM 2700UF 400V 20% SCREW
- 線性 - 視頻處理 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC VIDEO EQUALIZER 20-QFN
- 過時/停產(chǎn)零件編號 Texas Instruments EDSTRG40DIL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- PMIC - 監(jiān)控器 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 IC VOLTAGE DETECTOR 4.2V TO-92
- 計數(shù)器 Red Lion Controls 0805(2012 公制) DUAL PRESET W/RED BACKLIGHTING
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 100UF 6.3V 20% SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/IRC 2512(6432 公制) RES .030 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 線性 - 視頻處理 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC VIDEO EQUALIZER 20-QFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IC REG LDO 9V 1A TO-220
- 電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 2700UF 160V 20% SNAP
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - SMD CAP ALUM 1000UF 6.3V 20% SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/IRC 2512(6432 公制) RES .033 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 電容器 Nichicon 徑向,Can - 螺絲端子 CAP ALUM 3900UF 400V 20% SCREW