IRLZ34詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 18A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：88W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRLZ34L詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 18A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262-3
- 包裝：管件
IRLZ34NL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRLZ34NLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRLZ34NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRLZ34NS詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 275VAC RADIAL
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-WFDFN 裸露焊盤 IC RCVR ESD RS485/422 LP 8-TDFN
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS W/PIN CABLE R/A
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
- PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Power Integrations 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引線 IC OFFLINE SWIT OTP OCP CV 8DIP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V/2.8V .3A 10-DFN
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 10POS CBL MNT W/PINS
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 275VAC RADIAL
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS W/PIN CABLE R/A
- 保險絲 - 電氣，特制 Littelfuse Inc 盒，非標準 FUSE 300MA 250V NON STD SLOW
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3.3V .3A 10-DFN
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Intersil SOT-23-6 IC RCVR ESD RS485/422 LP SOT23-6
- 圓形 - 外殼 ITT Cannon 10 SOCKET CONTACT CONNECTOR
13410941925 
