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IRLZ34NL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRLZ34NLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRLZ34NPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRLZ34NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLZ34NSPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLZ34NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRFR2607Z
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
IRFPS40N60KPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-274AA MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
G7J-4A-P AC50
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE 4PST 25A 50V
IRLZ34NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 30A TO-220AB
H3CCH-3436M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC34H/AE34M/HKC34H
GQM1875C2E1R3BB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.3PF 250V NP0 0603
H5BXT-10110-S7-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2065S/X 10"
H3CCH-5036M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC50H/AE50M/HKC50H
IRFPS43N50K
FET - 單 Vishay Siliconix TO-274AA MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
FP1105R1-R22-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR LO PROFILE 226NH 46A
H3CCH-6006G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC60H/AE60G/HKC60H
GQM1875C2E1R3CB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.3PF 250V NP0 0603
H3CCS-1006G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC10S/AE10G/HKC10S
IRFR014PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFR2905ZTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK