IRLZ44詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 31A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 25V
- 功率_最大：150W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRLZ44L詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 31A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262-3
- 包裝：管件
IRLZ44NL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRLZ44NLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRLZ44NPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRLZ44NSPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：48nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/IRC 2512（6432 公制） RES .100 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 22UF 6.3V 20% SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IC REG LDO 24V 1A TO-220
- 電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 250V 20% SNAP
- 電容器 Nichicon 徑向，Can - 螺絲端子 CAP ALUM 10000UF 350V 20% SCREW
- 線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 Intersil 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC VIDEO DRIVER TRUE SGL 16-QSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/IRC 2512（6432 公制） RES .100 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- 電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1800UF 250V 20% SNAP
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG LDO 5V .1A 8-SOP
- 過時/停產(chǎn)零件編號 Texas Instruments EDSTRG40DIL8X
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/IRC 2512（6432 公制） RES .100 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向，Can - SMD CAP ALUM 330UF 6.3V 20% SMD
13410941925 
0755-83222787 
