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ISC1812ES181J 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

ISC1812ES181J詳細(xì)規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR WW 180UH 5% 1812

系列：ISC-1812

制造商：Vishay Dale

類型：鐵氧體芯體

電感：180µH

電流：

額定電流：（mA

電流_飽和值：-

容差：±5%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 5.72 歐姆

不同頻率時(shí)的Q值：40 @ 796kHz

頻率_自諧振：4.5MHz

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W x 0.126" H（4.50mm x 3.20mm x 3.20mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• IPW60R125CP

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 25A TO-247

• IRFU420PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK

• ISC1812ES151K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 150UH 10% 1812

• GJM0335C1E4R6BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201

• IRFU430APBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK

• FDS6675

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

• H48-6C-640-320-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X1MM

• IPW60R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

• IRFU5305PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK

• IRFU5505

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK

• FDS6675BZ

  FET - 單    Fairchild Optoelectronics Group    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• IPW65R110CFD

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

• H48-6C-640-320-2.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH

• IRFU6215

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK

• ISC1812ES1R2J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812