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IXTA2N80 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXTA2N80詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
系列:-
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:800V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.2 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
功率_最大:54W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-263AA
包裝:散裝

IXTA2N80P詳細規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
系列:PolarHV™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:800V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:10.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:440pF @ 25V
功率_最大:70W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-263
包裝:管件

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