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imd9a 全國供應商、價格、PDF資料

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IMD9AT108詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:SMT6
包裝:Digi-Reel®

IMD9AT108詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:SMT6
包裝:剪切帶 (CT)

IMD9AT108詳細規(guī)格

類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述:TRANS PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):10k
電阻器_發(fā)射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:68 @ 5mA,5V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉(zhuǎn)換:250MHz
功率_最大:300mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:SMT6
包裝:帶卷 (TR)

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