imx8 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IMX8-7詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：120V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：140MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26

包裝：帶卷 (TR)

IMX8-7詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26

系列：-

制造商：Diodes/Zetex

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：120V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：140MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26

包裝：帶卷 (TR)

IMX8-7詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：120V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：140MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26

包裝：剪切帶 (CT)

IMX8-7-F詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：120V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：140MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26

包裝：Digi-Reel®

IMX8-7-F詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：120V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：140MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26

包裝：剪切帶 (CT)

IMX8-7-F詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列

描述：TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：2 NPN（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：50mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：120V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：180 @ 2mA，6V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：140MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-23-6

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26

包裝：帶卷 (TR)

• LM4916MM/NOPB

  線性 - 音頻放大器    Texas Instruments    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC AMP AUDIO MONO/STER AB 10MSOP

• ECQ-E4333RJF

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.033UF 400VDC RADIAL

• ISL22414WMU10Z

  數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器    Intersil    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC DGTL POT 256POS 10K 10MSOP

• IMX8-7-F

  晶體管(BJT) - 陣列    Diodes Inc    SOT-23-6    TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26

• IRFSL3004PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 40V 195A TO262

• IPL60R299CP

  FET - 單    Infineon Technologies    4-TSFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

• LM4918LQ/NOPB

  線性 - 音頻放大器    Texas Instruments    32-WFQFN 裸露焊盤    IC AMP AUDIO PWR 1.1W STER 32LLP

• LMP90100MHX/NOPB

  數(shù)據(jù)采集 - 模擬前端 (AFE)    Texas Instruments    28-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤    IC AFE SNSR 24BIT SRL 28-TSSOP

• ECQ-E4334JF

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.33UF 400VDC RADIAL

• IPL78

  支架 - 配件    Hammond Manufacturing    4-TSFN 裸露焊盤    PLINTH 700 X 800MM X 4"

• IRFSL3006PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 60V 195A TO262

• LM4920TL/NOPB

  線性 - 音頻放大器    Texas Instruments    14-WFBGA    IC AMP AUDIO PWR .08W AB 14USMD

• LMP91000EVM/NOPB

  評(píng)估演示板和套件    Texas Instruments    28-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）裸露焊盤    EVAL BOARD FOR LMP91000

• IMX8T108

  晶體管(BJT) - 陣列    Rohm Semiconductor    SC-74，SOT-457    TRANS DUAL NPN 120V 50MA SOT-457

• ECQ-E4334JF3

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.33UF 400VDC RADIAL