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» 型號"MAL211819331E3"的供應(yīng)信息
MAL211819331E3 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料
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MAL211819331E3詳細規(guī)格
類別:電容器
描述:CAP ALUM 330UF 100V 20% AXIAL
系列:AHT 118
制造商:Vishay BC Components
電容:330µF
額定電壓:100V
容差:±20%
壽命0a0溫度:125°C 時為 8000 小時
工作溫度:-55°C ~ 125°C
特點:通用
紋波電流:890mA
ESR(等效串聯(lián)電阻):450 毫歐
阻抗:370 毫歐
安裝類型:通孔
封裝/外殼:軸向,CAN
尺寸/尺寸:0.709" 直徑 x 1.496" L(18.00mm x 38.00mm)
高度_座高(最大):-
引線間隔:-
表面貼裝占地面積:-
包裝:散裝
MAL211819331E3供應(yīng)商
MAL211819331E3
上海熠富電子科技有限公司
15026993318 /
MAL211819331E3
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
查看更多MAL211819331E3的供應(yīng)商
MAX314CUE+
接口 - 模擬開關(guān),多路復(fù)用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
MAX34440ETL+T
PMIC - 電源控制器,監(jiān)視器 Maxim Integrated 40-WFQFN 裸露焊盤 IC PS MANAGER PMBUS 6CH 40TQFN
MAL211818331E3
電容器 Vishay BC Components 軸向,CAN CAP ALUM 330UF 63V 20% AXIAL
MCP4132T-502E/SN
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Microchip Technology 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC RHEO DGTL SNGL 5K SPI 8SOIC
FDB5800
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
MCR18EZHFLR220
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES .22 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MCR100JZHFLR300
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512(6432 公制) RES .30 OHM 1W 1% 2512 SMD
LM4040A50IDBZR
PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 5V SOT-23-3
MAX314ESE+
接口 - 模擬開關(guān),多路復(fù)用器,多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
FDB5800
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
MCP4141-502E/MF
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Microchip Technology 8-VDFN 裸露焊盤 IC POT DGTL SNGL 5K SPI 8DFN
MCR100JZHFLR360
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512(6432 公制) RES .36 OHM 1W 1% 2512 SMD
MCR18EZHFLR360
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES .36 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MAL211837101E3
電容器 Vishay BC Components 軸向,CAN CAP ALUM 100UF 40V 20% AXIAL
LM4040A50IDBZT
PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 5V SOT23-3
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