MJD243 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

MJD243詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK-3

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 100mA，1A

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V

功率_最大：1.4W

頻率_轉(zhuǎn)換：40MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：管件

MJD243G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 100mA，1A

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V

功率_最大：1.4W

頻率_轉(zhuǎn)換：40MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：管件

MJD243T4詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 100mA，1A

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V

功率_最大：1.4W

頻率_轉(zhuǎn)換：40MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：Digi-Reel®

MJD243T4詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 100mA，1A

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V

功率_最大：1.4W

頻率_轉(zhuǎn)換：40MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：剪切帶 (CT)

MJD243T4G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 100mA，1A

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V

功率_最大：1.4W

頻率_轉(zhuǎn)換：40MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：Digi-Reel®

MJD243T4G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN

電流_集電極333Ic444（最大）：4A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：100V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 100mA，1A

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 200mA，1V

功率_最大：1.4W

頻率_轉(zhuǎn)換：40MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：帶卷 (TR)

• MMBD6100LT1G

  二極管，整流器 - 陣列    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23

• MP6-1F-1F-1F-1Q-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MJD210T4G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK

• MCW0406MD2002BP100

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Beyschlag    Wide 0604（1610 Metric），0406    RES 20K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE

• MJB41CT4G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    TRANS PWR NPN 6A 100V D2PAK-3

• MM74HC04MTCX

  邏輯 - 柵極和逆變器    Fairchild Semiconductor    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC HEX INVERTER 14-TSSOP

• MAX13032EETE+

  邏輯 - 變換器    Maxim Integrated    16-WQFN 裸露焊盤    IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP

• MAX15012DASA+T

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤    IC HALF-BRIDGE MOSFET DVR 8-SOIC

• MMBD7000

  二極管，整流器 - 陣列    Fairchild Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE ULTRAFAST HI COND SOT-23

• MCW0406MD2260BP100

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Beyschlag    Wide 0604（1610 Metric），0406    RES 226 OHM 1/4W .1% 0406 WIDE

• MJB42CT4G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    TRANS PWR PNP COMP 6A 100V D2PAK

• MM74HC08SJX

  邏輯 - 柵極和逆變器    Fairchild Semiconductor    14-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）    IC GATE AND QUAD 2-INP 14-SOP

• MAX15018AASA+

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤    IC MOSF DRVR HALF BRDG HS 8-SOIC

• MAX13035EETE+T

  邏輯 - 變換器    Maxim Integrated    16-WQFN 裸露焊盤    IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP

• MMBD7000-7

  二極管，整流器 - 陣列    Diodes/Zetex    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3