MJD29 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

MJD2955詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：管件

MJD2955-001詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

MJD2955-1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak

包裝：管件

MJD2955G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：1.75W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：DPAK-3

包裝：管件

MJD2955T4詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：8V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：20W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

MJD2955T4詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：10A

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：5V @ 3.3A，10A

電流_集電極截止（最大）：50µA

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：20 @ 4A，4V

功率_最大：20W

頻率_轉(zhuǎn)換：2MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

• MAX13035EETE+T

  邏輯 - 變換器    Maxim Integrated    16-WQFN 裸露焊盤    IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP

• MMBD7000-7

  二極管，整流器 - 陣列    Diodes/Zetex    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3

• MCW0406MD2490BP100

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Beyschlag    Wide 0604（1610 Metric），0406    RES 249 OHM 1/4W .1% 0406 WIDE

• MJD253T4

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK

• MJD112G

  晶體管(BJT) - 單路    ON Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

• MM74HC123AM

  邏輯 - 多頻振蕩器    Fairchild Semiconductor    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MULTIVIBRATOR MONO DL 16-SOIC

• MP6-1F-1L-1L-1Q-1Q-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MAX13042EETD+T

  邏輯 - 變換器    Maxim Integrated    14-WFDFN 裸露焊盤    IC LEVEL TRANSLATOR 14-TDFN

• MAX1501ETE/V+T

  PMIC - 電池管理    Maxim Integrated    16-WQFN 裸露焊盤    IC BATTERY CHARGER 16WQFN

• MMBD7000-7

  二極管，整流器 - 陣列    Diodes Inc    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3

• MM74HC126MX

  邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Fairchild Semiconductor    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC BUFF TRI-ST QD N-INV 14SOIC

• MP6-1F-1L-4LE-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MJD112TF

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK

• MAX13050ASA+

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC TXRX CAN 1MBPS 8-SOIC

• MAX1501ETE+

  PMIC - 電池管理    Maxim Integrated    16-WQFN 裸露焊盤    IC BATTERY CHARGER 16-TQFN