

MJD2955詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):10A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 頻率_轉換:2MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:管件
MJD2955-001詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):10A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 頻率_轉換:2MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
MJD2955-1G詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):10A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 頻率_轉換:2MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
MJD2955G詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):10A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:1.75W
- 頻率_轉換:2MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:管件
MJD2955T4詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):10A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:20W
- 頻率_轉換:2MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
MJD2955T4詳細規(guī)格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):10A
- 電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):5V @ 3.3A,10A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
- 功率_最大:20W
- 頻率_轉換:2MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 邏輯 - 變換器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP
- 二極管,整流器 - 陣列 Diodes/Zetex TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 249 OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
- 邏輯 - 多頻振蕩器 Fairchild Semiconductor 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MULTIVIBRATOR MONO DL 16-SOIC
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 邏輯 - 變換器 Maxim Integrated 14-WFDFN 裸露焊盤 IC LEVEL TRANSLATOR 14-TDFN
- PMIC - 電池管理 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC BATTERY CHARGER 16WQFN
- 二極管,整流器 - 陣列 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3
- 邏輯 - 緩沖器,驅動器,接收器,收發(fā)器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC BUFF TRI-ST QD N-INV 14SOIC
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC TXRX CAN 1MBPS 8-SOIC
- PMIC - 電池管理 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC BATTERY CHARGER 16-TQFN