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MMDT2907V-7 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

MMDT2907V-7詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANSISTOR DUAL PNP 60V SOT-563
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類(lèi)型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
功率_最大：150mW
頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563
包裝：Digi-Reel®

MMDT2907V-7詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANSISTOR DUAL PNP 60V SOT-563
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類(lèi)型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
功率_最大：150mW
頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563
包裝：剪切帶 (CT)

MMDT2907V-7詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANSISTOR DUAL PNP 60V SOT-563
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類(lèi)型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：600mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.6V @ 50mA，500mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V
功率_最大：150mW
頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563
包裝：帶卷 (TR)

MMDT2907V-7供應(yīng)商

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