MMSF3P02HDR2 全國供應商、價格、PDF資料
MMSF3P02HDR2詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
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- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
MMSF3P02HDR2G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
MMSF3P02HDR2G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
MMSF3P02HDR2G詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMSF3P02HDR2SG詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 16V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS FLANGE W/SKT
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 軸向 CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 背板 - 專用 Vishay Dale SOT-23-6 CONN RACK/PANEL 14POS 5A
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 25V Y5V 0603
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 軸向 CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 背板 - 專用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 7POS 5A
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 0.1UF 25V Y5V 0603
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MT W/SCKT