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MMUN2111LT1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

MMUN2111LT1詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：剪切帶 (CT)

MMUN2111LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：帶卷 (TR)

MMUN2111LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：剪切帶 (CT)

MMUN2111LT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：246mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：Digi-Reel®

• MMDF1N05ER2G

  FET - 陣列    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC

• GRM2196R2A121JZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0805（2012 公制）    CAP CER 120PF 100V 5% R2H 0805

• MMS-131-02-L-DH

  矩形- 接頭，插座，母插口    Samtec Inc        CONN RCPT 2MM 62POS DL HORZ SMD

• MMU01020C6801FB300

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Beyschlag    MELF，0102    RES 6.80K OHM .3W 1% 0102 MELF

• MS27466T11B98SC

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN RCPT 6POS FLANGE W/SKT

• GRM1887U2A510JZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 51PF 100V 5% U2J 0603

• MP6-3E-4EF-4LQ-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MP6-1U-1Q-1Q-4NN-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• MMDF2N02ER2G

  FET - 陣列    ON Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CHAN DUAL 2A 25V 8SOIC

• MMS-131-02-L-DV

  矩形- 接頭，插座，母插口    Samtec Inc        CONN RCPT 2MM 62POS DL VERT SMD

• MP6-3E-4LA-4LR-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• GRM1887U2A5R5DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 5.5PF 100V U2J 0603

• MMUN2112LT1

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS BRT PNP 50V SOT-23

• MS27466T11B99BB

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG RCPT FLANGE 7POS SKT

• MP6-1V-1V-1V-1V-4LL-00

  AC DC 轉(zhuǎn)換器    Emerson Network Power/Embedded Power        MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY