MTP50P03HDL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 50A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 25A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4900pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
MTP50P03HDLG詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 25A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4900pF @ 25V
- 功率_最大：125W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-UDIMM MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 51.1K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- FET - 單 ON Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 45.3K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 3.3K OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 過時/停產(chǎn)零件編號 Texas Instruments FLASH EMULATION TOOL
- AC DC 轉(zhuǎn)換器 Iccnexergy 徑向 POWER SUP MEDICAL 100W 24V 4.2A
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 39POS SKT
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 244-MDIMM MODULE DDR2 256MB 244MDIMM VLP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.64K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 內(nèi)電路編程器、仿真器以及調(diào)試器 Texas Instruments KIT PROG/DEBUG MSP430U 40PIN
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201（0603 公制） RES 33 OHM 1/20W 1% 0201 SMD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 68UF 100V 20% SMD
- 連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 39POS JAM NUT W/SKT
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE SDRAM DDR2 256MB 240DIMM
755-83252273 
0755-23914006 
