MUN2211 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

MUN2211JT1詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：2.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59

包裝：帶卷 (TR)

MUN2211JT1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：2.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59

包裝：帶卷 (TR)

MUN2211T1詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：338mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59

包裝：剪切帶 (CT)

MUN2211T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：338mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59

包裝：剪切帶 (CT)

MUN2211T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：338mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59

包裝：Digi-Reel®

MUN2211T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：338mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-59

包裝：帶卷 (TR)

• MT42L256M32D4MG-25 IT:A

  存儲器    Micron Technology Inc    134-TFBGA    IC LPDDR2 SDRAM 8GBIT 134FBGA

• ODD-5WB

  光學(xué) - 光電檢測器 - 光電二極管    Opto Diode Corp    TO-205AA，TO-5-3 金屬罐    PHOTODIODE LOCAP 5MM 450NM TO-5

• MCR10EZPF2700

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 270 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• MT29F64G08CFACAWP:C

  存儲器    Micron Technology Inc    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）    IC FLASH NAND 64GB 48TSOP

• MUN2137T1G

  晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式    ON Semiconductor    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59

• MCR25JZHF1332

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1210（3225 公制）    RES 13.3K OHM 1/4W 1% 1210 SMD

• MCR03ERTF8660

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 866 OHM 1/10W 1% 0603 SMD

• MT42L64M32D1KL-25 IT:A

  存儲器    Micron Technology Inc    168-WFBGA    IC DDR2 SDRAM 2GBIT 168FBGA

• MCR10EZPF2703

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 270K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• MT29F64G08CFACAWP:C TR

  存儲器    Micron Technology Inc    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）    IC FLASH NAND 64GB 48TSOP

• MCR25JZHF1372

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1210（3225 公制）    RES 13.7K OHM 1/4W 1% 1210 SMD

• MT42L64M64D2MC-3 IT:A

  存儲器    Micron Technology Inc    240-WFBGA    IC DDR2 SDRAM 2GBIT 240FBGA

• MCR03ERTF8661

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 8.66K OHM 1/10W 1% 0603 SMD

• MCR10EZPF2803

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 280K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• OE128064P000M00A01

  過時/停產(chǎn)零件編號    OSRAM Opto Semiconductors Inc    TO-46-3 透鏡頂部金屬罐    KIT REFERENCE DESIGN RD-040