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MUN5211DW1T1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5211DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5211DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

MUN5211DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5211T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：310mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5211T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：310mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：Digi-Reel®

MT16HTF25664AY-53EA1
存儲(chǔ)器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE SDRAM DDR2 2GB 240DIMM
MCR18EZPJ431
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MVY16VC47RMF55TP
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MUN5116DW1T1
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
MT16HTF25664AZ-667H1
存儲(chǔ)器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-UDIMM MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM
MTCBA-CDROM
配件 Multi-Tech Systems 模塊 CDROM/DOCS/DVR BVRP PHONE TOOLS
MVY25VE102ML17TR
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - SMD CAP ALUM 1000UF 25V 20% SMD
MCR18EZPJ432
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 4.3K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
MCR10EZHFL4R75
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.75 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
MT0400SS
功率 Acme Electric/Amveco/Actown - TRANSFORMER MED 120/240V 400VA
MTCBA-C-IP-N12
RF 接收器、發(fā)射器及收發(fā)器的成品裝置 Multi-Tech Systems 模塊 MODEM CDMA RS-232 DC IP BELL
MX26018SF1
矩形 - 外殼 JAE Electronics 8-WDFN 裸露焊盤 CONN SOCKET 18POS HOUSING 2.2MM
MCR18EZPJ433
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 43K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
MT16HTF6464AY-667B4
存儲(chǔ)器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 SDRAM 512MB 240-DIMM
MCR10EZHFL6R20
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 6.20 OHM 1/4W 1% 0805 SMD