MUN5213 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

MUN5213DW1T1G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：250mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363

包裝：Digi-Reel®

MUN5213DW1T1G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：250mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363

包裝：帶卷 (TR)

MUN5213DW1T1G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：250mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363

包裝：剪切帶 (CT)

MUN5213DW1T3G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 個 NPN 預偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：250mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363

包裝：帶卷 (TR)

MUN5213T1G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：202mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）

包裝：Digi-Reel®

MUN5213T1G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：NPN - 預偏壓

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：47k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：202mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）

包裝：剪切帶 (CT)

• N352-02M

  光纖    Tripp Lite        CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’

• N354-01M

  光纖    Tripp Lite        CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 3’

• OPA847IDRG4

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP VFB 3.9GHZ SGL 8SOIC

• MUN5135DW1T1

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式    ON Semiconductor    6-TSSOP，SC-88，SOT-363    TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363

• MSP09A0122K0GEJ

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Vishay Dale    9-SIP    RES ARRAY 22K OHM 8 RES 9-SIP

• HK2

  配件    Crydom Co.    0603（1608 公制）    KIT BRACKT HARDWARE DIN RAIL MNT

• N354-01M

  光纖    Tripp Lite        CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 3’

• N352-02M

  光纖    Tripp Lite        CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’

• N74F166D,602

  邏輯 - 移位寄存器    NXP Semiconductors    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC

• HK2

  配件    Crydom Co.    0603（1608 公制）    KIT BRACKT HARDWARE DIN RAIL MNT

• MSP10A01100KFEJ

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Vishay Dale    10-SIP    RES ARRAY 100K OHM 9 RES 10-SIP

• N354-02M

  光纖    Tripp Lite        CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’

• N354-02M

  光纖    Tripp Lite        CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 6’

• N74F166D,602

  邏輯 - 移位寄存器    NXP Semiconductors    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC

• OPA875IDG4

  接口 - 模擬開關(guān)，多路復用器，多路分解器    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    OPA875IDG4