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MUN5216DW1T1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5216DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5216DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

MUN5216DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 NPN 預(yù)偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5216T1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5216T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：4.7k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5215T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
OD5010-05HS02A
風(fēng)扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 50X10MM 5V ALARM
MCR100JZHF4320
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 432 OHM 1W 1% 2512 SMD
HEDS-6140#B06
配件 Avago Technologies US Inc. CODEWHEEL 3CH 1000CPR 1/4"
MS3471L8-33PW
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 3POS CABLE PIN
MS3472W14-12P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS WALL MNT W/PINS
MS3456L32-13B
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 23POS STRGHT SCKT
HE2AN-AC24V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 24V
MCR100JZHF4320
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 432 OHM 1W 1% 2512 SMD
HEDS-6140#B06
配件 Avago Technologies US Inc. CODEWHEEL 3CH 1000CPR 1/4"
MS3471L8-98S
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 3POS CABLE SCKT
MS3472W14-15AY
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 15POS PIN
MCR100JZHF4990
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 499 OHM 1W 1% 2512 SMD
OD5010-05LSS01A
風(fēng)扇 - DC Orion Fans 軸向 FAN 50X10MM 5V TACH
MUN5230DW1T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

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