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MVA50VE102ML22TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

MVA50VE102ML22TR詳細(xì)規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 1000UF 50V 20% SMD

系列：MVA

制造商：United Chemi-Con

電容：1000µF

額定電壓：50V

容差：±20%

壽命0a0溫度：85°C 時(shí)為 2000 小時(shí)

工作溫度：-40°C ~ 85°C

特點(diǎn)：通用

紋波電流：1.3A

ESR（等效串聯(lián)電阻）：298 毫歐

阻抗：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：徑向，Can - SMD

尺寸/尺寸：0.630" 直徑（16.00mm）

高度_座高（最大）：0.846"（21.50mm）

引線間隔：-

表面貼裝占地面積：0.669" L x 0.669" W（17.00mm x 17.00mm）

包裝：托盤

• MX25U1635EZUI-10G

  存儲(chǔ)器    Macronix    8-UDFN 裸露焊盤    IC FLASH SER 16MB 104MHZ 8USON

• OMNI249

  RF 天線    RFM    3-SIP    ANTENNA 2.4GHZ 9DBI OMNI N-CONN

• MVA50VC47RMF80TP

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 47UF 50V 20% SMD

• MCR18EZHF2101

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 2.10K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MT5VDDT3272AY-40BF1

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR 256MB 184-DIMM

• MT29F8G08ABABAWP-IT:B TR

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）    IC FLASH NAND 8GB 48TSOP

• MCR03EZPJ361

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 360 OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MX25U3235EZNI-10G

  存儲(chǔ)器    Macronix    8-WDFN 裸露焊盤    IC FLASH 1.8V 32MB 104MHZ 8WSON

• HF50ACC321611-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    1206（3216 公制）    FERRITE CHIP 31 OHM 1.5A 1206

• MT5VDDT3272HY-335F2

  存儲(chǔ)器 - 模塊    Micron Technology Inc    200-SODIMM    MODULE DDR 256MB 200-SODIMM

• MCR18EZHF2102

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 21.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MCR03EZPJ390

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 39 OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MT29F8G08ADBDAH4-IT:D

  存儲(chǔ)器    Micron Technology Inc    63-VFBGA    IC FLASH NAND 8GB 63VFBGA

• MX25U4035ZNI-25G

  存儲(chǔ)器    Macronix    8-WDFN 裸露焊盤    IC FLASH SER 4MB 40MHZ 8WSON

• HF50ACC322513-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    1210（3225 公制）    FERRITE CHIP 60 OHM 1.5A 1210