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MVE63VC2R2MD55TP 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

MVE63VC2R2MD55TP詳細規(guī)格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 2.2UF 63V 20% SMD

系列：MVE

制造商：United Chemi-Con

電容：2.2µF

額定電壓：63V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 1000 小時

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：12mA

ESR（等效串聯(lián)電阻）：90.409 歐姆

阻抗：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：徑向，Can - SMD

尺寸/尺寸：0.157" 直徑（4.00mm）

高度_座高（最大）：0.205"（5.20mm）

引線間隔：-

表面貼裝占地面積：0.169" L x 0.169" W（4.30mm x 4.30mm）

包裝：帶卷 (TR)

• MX34007NF1

  矩形- 接頭，公引腳    JAE Electronics    48-TFBGA，CSPBGA    CONN HEADER 2.2MM 7POS R/A

• MVE63VC221MK14TR

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 220UF 63V 20% SMD

• MCR18EZHF2703

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• ONET4211LDRGET

  PMIC - 激光驅(qū)動器    Texas Instruments    24-VFQFN 裸露焊盤    IC LSR DRVR 4.25GBPS 3.6V 24VQFN

• MT36VDDF25672G-40BD2

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR SDRAM 2GB 184-DIMM

• MCR03EZPJ913

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 91K OHM 1/10W 5% 0603 SMD

• MT8VDDT6464AY-335F3

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM

• MCR18EZHF2703

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 270K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• HF70ACB322513-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    1210（3225 公制）    FERRITE CHIP 52 OHM 400MA 1210

• ONET4291PARGVR

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    16-VQFN 裸露焊盤    IC OPAMP LIMIT DIFF 4.5GHZ 16QFN

• MCR03FZPEFX1211

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 1.21K OHM 1/10W 1% 0603

• MT36VDDF25672Y-40BD2

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE SDRAM DDR 2GB 184DIMM

• MT8VDDT6464AY-40BF3

  存儲器 - 模塊    Micron Technology Inc    184-DIMM    MODULE DDR SDRAM 512MB 184-DIMM

• MCR18EZHF2802

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 28.0K OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MX34024NF1

  矩形- 接頭，公引腳    JAE Electronics    48-TFBGA，CSPBGA    CONN HEADER PIN 24POS R/A TIN