當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引104 » 型號"NE3503M04-T2-A"的供應(yīng)信息

NE3503M04-T2-A 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

NE3503M04-T2-A詳細(xì)規(guī)格

類別：RF FET

描述：AMP HJ-FET 12GHZ SOT-343

系列：-

制造商：CEL

晶體管類型：HFET

頻率：12GHz

增益：12dB

電壓_測試：2V

額定電流：70mA

噪音數(shù)據(jù)：0.45dB

電流_測試：10mA

功率_輸出：-

電壓_額定：4V

封裝/外殼：SC-82A，SOT-343

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-343

包裝：帶卷 (TR)

• NLCV32T-R22M-PFR

  固定式    TDK Corporation    1210（3225 公制）    INDUCTOR .22UH 2.40A 20% 1210

• NLAS9099MN1R2G

  接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器    ON Semiconductor    16-VFQFN 裸露焊盤    IC SWITCH 16-QFN

• NE350184C

  RF FET    CEL    微型-X 陶瓷 84C    HJ-FET 20GHZ MICRO-X

• NE01-CCPC1-EL10

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    24-DIP 模塊（600 mil，8 引線）    NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE

• HM2P87PKA1M1GF

  背板 - 硬公制，標(biāo)準(zhǔn)    FCI        CONN HEADER 176POS TYPE D VERT

• MFR-25FRF-4K42

  通孔電阻器    Yageo    軸向    RES 4.42KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R

• MT48LC8M8A2TG-7E:G TR

  存儲器    Micron Technology Inc    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP

• NOSA226M002R0900

  氧化鈮    AVX Corporation    1206（3216 公制）    CAP NIOB OXIDE 22UF 2.5V 1206

• NLCV32T-R47M-PFR

  固定式    TDK Corporation    1210（3225 公制）    INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210

• HM2P88PD8110N9

  背板 - 硬公制，標(biāo)準(zhǔn)    FCI        CONN HEADER 200POS TYPE E VERT

• NE01-CCPC1-EL10

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    24-DIP 模塊（600 mil，8 引線）    NE1S V3 SOFTWARE 10 LICENSE

• MFR-25FRF-536R

  通孔電阻器    Yageo    軸向    RES 536 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R

• MT48V4M32LFB5-8 XT:G

  存儲器    Micron Technology Inc    90-VFBGA    IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA

• NLCV32T-R47M-PFR

  固定式    TDK Corporation    1210（3225 公制）    INDUCTOR .47UH 2.00A 20% 1210

• NOSC107M004R0150

  氧化鈮    AVX Corporation    2312（6032 公制）    CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312