NP160N04TDG-E1-AY詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15750pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片）
- 供應商設備封裝：TO-263-7
- 包裝：帶卷 (TR)
NP160N04TUG-E1-AY詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：15750pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片）
- 供應商設備封裝：TO-263-7
- 包裝：帶卷 (TR)
NP160N04TUJ-E1-AY詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：10350pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片）
- 供應商設備封裝：TO-263-7
- 包裝：帶卷 (TR)
NP160N055TUJ-E1-AY詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：10350pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片）
- 供應商設備封裝：TO-263-7
- 包裝：Digi-Reel®
NP160N055TUJ-E1-AY詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：10350pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片）
- 供應商設備封裝：TO-263-7
- 包裝：帶卷 (TR)
NP160N055TUJ-E1-AY詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
- 系列：-
- 制造商：Renesas Electronics America
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：10350pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片）
- 供應商設備封裝：TO-263-7
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 光纖 Industrial Fiberoptics FIBER OPT 1MM ACRYL RED 1 METER
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ
- FET - 單 Renesas Electronics America TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片） MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-8 IC OPAMP GP R-R 90KHZ SOT23-8
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 536K OHM METAL FILM .50W 1%
- TVS - 二極管 Comchip Technology DO-204AC，DO-15，軸向 TVS 600W 10V 5% UNIDIR DO-15
- TVS - 二極管 ON Semiconductor SC-89，SOT-490 TVS ZENER DUAL 8.2V SC89
- 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安裝 SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-BSOJ IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-8 IC OPAMP GP R-R 90KHZ SOT23-8
- 通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 560K OHM METAL FILM .50W 1%
- TVS - 二極管 ON Semiconductor T-18，軸向 TVS ZENER UNIDIR 600W 10V AXIAL
- 尖端，噴嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盤 NOZZLE QUAD 22MM X 22MM
- 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 晶體管輸出 TT Electronics/Optek Technology PCB 安裝 SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU
- 光纖 Industrial Fiberoptics FIBER OPT 1.5MM POLY AMBER 50M
0755-23612148 
