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NP80N04KHE-E1-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263; 包裝：帶卷 (TR)

NP80N04MHE-S18-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO-220; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220; 包裝：管件

NP80N04MLG-S18-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO-220; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6900pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220; 包裝：管件

NP80N04NHE-S18-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO-262; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

NP80N04NLG-S18-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO-262; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6900pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

NP80N04NUG-S18-AY詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO-262; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7350pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

SI8451AB-B-IS1
數(shù)字隔離器 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC ISOLATOR 5CH 5.5V 16-SOIC
TMS-90-SCE-3/32-9
標簽，標記 TE Connectivity 144-LQFP HEAT SHRINK SLEEVE MARKER
SR215C683MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.068UF 50V 20% RADIAL
NP80N03KLE-E1-AY
FET - 單 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
SR201E224MARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
TA35-CBTWF100C0
斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 10A ROCKER 240VAC
STK GY
配件 - 帽蓋 C&K Components 圓柱型，金屬 CAP USE W/SERU AU OA BRN
SI8452AA-A-IS1R
數(shù)字隔離器 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC
SR215C683MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.068UF 50V 20% RADIAL
SR201E224MARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
STK11C68-C35
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 28-CDIP（0.300"，7.62mm） IC NVSRAM 64KBIT 35NS 28CDIP
TA35-CBTYM040C0
斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 4A ROCKER 240VAC
SI8455BB-A-IS1
數(shù)字隔離器 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC
SR215C822KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 8200PF 50V 10% RADIAL
TMS-SCE-1K-1/2-2.0-6
標簽，標記 TE Connectivity 144-LFBGA HEAT SHRINK SLEEVE MARKER

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