當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引177 » 型號(hào)"NSBA114EDXV6T"的供應(yīng)信息

NSBA114EDXV6T 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

NSBA114EDXV6T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

NSBA114EDXV6T1G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563

包裝：剪切帶 (CT)

NSBA114EDXV6T5詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

NSBA114EDXV6T5G詳細(xì)規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式

描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V

電阻器_基極333R1444（歐）：10k

電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k

在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA

電流_集電極截止（最大）：500nA

頻率_轉(zhuǎn)換：-

功率_最大：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-563，SOT-666

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563

包裝：帶卷 (TR)

• TFT2002 NA005

  實(shí)心管，套管    Alpha Wire    01005（0402 公制）    TUBING PTFE .258" ID 100’ CLR

• SS4-4

  電路板襯墊，支座    Richco Plastic Co    4-SIP    SPACER RND PLAST #4SCREW 1/2"

• TL431QPK

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments    TO-243AA    IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-89-3

• NSB8DTHE3/45

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    DIODE GPP 8A 200V PLAST TO263AB

• NSB8JT-E3/45

  單二極管/整流器    Vishay General Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    DIODE GPP 8A 600V PLAST TO263AB

• TK50E06K3(S1SS-Q)

  FET - 單    Toshiba        MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

• SSA-126-W-T-RA

  板至板 - 接頭，插座，母插口    Samtec Inc        CONN RCPT .100" 26POS TIN WW R/A

• SS441A-L

  磁性 - 霍爾效應(yīng)，數(shù)字式開(kāi)關(guān)，線性，羅盤 (IC)    Honeywell Sensing and Control    3-SIP    SENSOR UNIPOL HALL-EFFECT DGTL

• TFT20022 NA005

  實(shí)心管，套管    Alpha Wire    01005（0402 公制）    TUBING PTFE .026" ID 100’ CLR

• NSBA114TDXV6T1G

  晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式    ON Semiconductor    SOT-563，SOT-666    TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

• SSA-127-S-G

  板至板 - 接頭，插座，母插口    Samtec Inc        CONN RCPT .100" 27POS GOLD PCB

• TK5A45DA(STA4,Q,M)

  FET - 單    Toshiba    TO-220-3 整包    MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS

• SS441A-S

  磁性 - 霍爾效應(yīng)，數(shù)字式開(kāi)關(guān)，線性，羅盤 (IC)    Honeywell Sensing and Control    TO-262-3短引線，I²Pak    SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD

• TFT20030 NA005

  實(shí)心管，套管    Alpha Wire    01005（0402 公制）    TUBING PTFE .010" ID 100’ CLR

• TL432AQDBZR

  PMIC - 電壓基準(zhǔn)    Texas Instruments    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3